Si(111)基片上Mg2Si薄膜的脉冲激光沉积

• 作者: 杨梅君 沈强 王传彬
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 脉冲激光沉积 Mg2Si薄膜 Si(111)基片 多晶薄膜
• 年，卷（期）: 2014,（10）
• 所属期刊栏目: 功能薄膜
• 页码范围: 1112-1117
• 分类号: TB32|TB34
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2014.10.20

摘要

采用脉冲激光沉积方法在Si(111)基片上制备了Mg2Si薄膜.研究了激光能量密度、退火气氛及压强、退火温度、退火时间等工艺条件对Mg2Si薄膜生长的影响.用X射线衍射仪分析了Mg2Si薄膜的物相,用原子力显微镜、高分辨场发射扫描电镜表征了薄膜的形貌.实验结果表明:在激光能量密度为2.36 J/cm2,Si(111)基片上室温、真空(真空度10-6Pa)条件下沉积,在Ar气压强为10 Pa,500℃,30 min条件下原位退火得到了纯相、结构均匀、表面平整、厚度约为900nm的Mg2Si多晶薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈强	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	131	858	14.0	24.0
2	杨梅君	武汉理工大学材料研究与测试中心	11	41	3.0	6.0
3	王传彬	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	51	285	9.0	15.0