SiC加热元件在N2气氛下使用损毁机理研究

• 作者: 刘新红 刘锴 周超杰 方岩震 牛智旺 王大军
• 来源期刊: 郑州大学学报（工学版）
• 学科: 工学
• 关键词: SiC加热元件 N2气氛 损毁机理
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 所属期刊栏目: 化工与材料工程
• 页码范围: 18-21,26
• 页数: 5页
• 分类号: TQ175.1
• 字数: 2647字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-6833.2014.03.005

摘要

用XRD和SEM对在N2气氛使用后SiC加热元件的物相组成和显微结构进行了分析,并对损毁机理进行了探讨,结果表明:未变质部分的气孔较多,腐蚀性气体易通过气孔与SiC反应造成损毁,并存在Si、K2O和FeSi杂质相,此杂质相也可加速损毁;由于在N2气氛中氧分压较低,不能形成保护性玻璃膜,N2中的少量O2易与SiC加热元件反应使其氧化导致结构疏松,加剧氧化损毁;炉内烧制的含Al、Si和C的耐火材料中挥发出的Al(g)、Al2O(g)和CO(g)等与SiC加热元件反应,生成β-SiC、SiO2和Al2O3,致使SiC加热元件变质损毁.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新红	郑州大学高温材料研究所	58	210	8.0	11.0
2	牛智旺		5	12	3.0	3.0
3	王大军		8	7	2.0	2.0
4	方岩震		2	3	1.0	1.0
5	周超杰	郑州大学高温材料研究所	2	1	1.0	1.0
6	刘锴		1	0	0.0	0.0