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摘要:
随着IC工艺和器件物理研究的进展以及计算机技术的发展成熟,集成电路模拟软件的功能和应用也同步扩展。目前国内大型生产线上几乎均采用了同类软件,主要用于工艺建模、优化工艺流程,一旦模拟与实验拟合较好,建立模型库,将极大的节省实验所需时间、人力和物料。主要采用的是Sentaurus TCAD软件模拟了TTL工艺的基区注入后扩散情况,模拟结果与实验结果非常接近,该结果已经多次应用在产品的研制生产中。
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文献信息
篇名 模拟软件在基区方阻实验中的应用
来源期刊 微处理机 学科 工学
关键词 模拟 工艺 结深 方阻
年,卷(期) 2014,(6) 所属期刊栏目 大规模集成电路设计、制造与应用
研究方向 页码范围 14-16
页数 3页 分类号 TN402
字数 1449字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1002-2279.2014.06.005
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘剑 中国电子科技集团公司第四十七研究所 16 33 4.0 5.0
2 宋玲玲 中国电子科技集团公司第四十七研究所 6 43 2.0 6.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
模拟
工艺
结深
方阻
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微处理机
双月刊
1002-2279
21-1216/TP
大16开
沈阳市皇姑区陵园街20号
1979
chi
出版文献量(篇)
3415
总下载数(次)
7
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