0.18 μm BCD工艺平台LogicEE IP的数据保持力

• 作者: 李国强 杨新杰
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 0.18 μm BCD工艺 LogicEE IP SAB膜 数据保持力
• 年，卷（期）: 2014,（12）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 25-28
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 1858字
• 语种: 中文

摘要

研究表明,0.18 μm BCD工艺中SAB膜的厚度对LogicEE IP的数据保持力特性有重大影响.SAB膜越厚,LogicEE IP的数据保持力特性越好;如果SAB膜厚度小于一定尺寸,那么LogicEE IP的数据保持力将会失效.因此适当的SAB膜厚度对保证LogicEE IP的数据保持力通过合格性测试非常重要.主要研究在标准工艺条件下,通过3种SAB膜厚(标准厚度55 nm、80 nm和100 nm)、老衬底(标准厚度55 nm)、新衬底延长清洗时间(标准厚度55 nm)以及新衬底新生长材料的SAB膜(标准厚度55 nm)等试验,最终确定了在华虹宏力0.18μm BCD工艺平台上,当SAB膜厚度为100 nm时,LogicEE IP核的数据保持力通过了JEDEC标准的合格性测试.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李国强	上海交通大学微电子学院	13	44	4.0	6.0
2	杨新杰		1	1	1.0	1.0