Al掺杂浓度对ZnO陶瓷释能电阻材料性能的影响

• 作者: 杨胜辉 邓宏 邓雪然 韦敏
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化锌释能材料 导电性 能量吸收密度 线性度
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 722-726
• 页数: 5页
• 分类号: O484.4|TB34
• 字数: 3104字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20143506.0722

摘要

为了制备ZnO释能电阻并研究Al掺杂浓度对ZnO释能电阻材料的影响,通过改进的制陶工艺制备了不同Al掺杂浓度的ZnO导电陶瓷.实验结果表明,Al掺杂浓度对ZnO释能电阻的导电性、能量密度和线性度均有较大的影响.Al的掺杂能较好地改善ZnO释能电阻的线性度,非线性系数可低至1.02; Al掺杂能很好地控制ZnO的电阻率,使其达到0.54 Ω·cm;Al掺杂还能较好地改善ZnO陶瓷的均匀性和密度,从而提高ZnO释能电阻的能量吸收密度,能量吸收密度高达720 J/cm3,较金属释能材料高出2～3倍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓宏	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	72	653	14.0	22.0
2	韦敏	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	15	131	7.0	11.0
3	杨胜辉	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	8	2.0	2.0
4	邓雪然	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	3	7	2.0	2.0