Ga掺杂ZnS的电子结构和光学性质

• 作者: 崔元顺 李建华 陈贵宾
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 硫化锌 Ga掺杂 电子结构 光学性质
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 133-139
• 页数: 7页
• 分类号: O474|O471.5
• 字数: 3529字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2014.01.022

摘要

本文基于第一性原理平面波赝势(PWP)和广义梯度近似(GGA)方法,对ZnS闪锌矿结构掺入杂质Ga体系进行结构优化处理.计算了该体系下ZnS材料的电子结构和光学性质.详细分析了其平衡晶格常数、能带结构、电子态密度分布和光学性质.结果表明:由于杂质Ga的引入,ZnS体系体积略有膨胀,并在费米面附近出现了深施主能级,单纯的通过Ga掺杂来实现低阻n型ZnS材料较为困难;由于杂质能级的引入,整个介电峰向低能方向偏移,电子在可见光区的跃迁显著增强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	崔元顺	淮阴师范学院物理与电子电气工程学院	52	149	7.0	9.0
2	李建华	淮阴师范学院物理与电子电气工程学院	13	30	3.0	5.0
3	陈贵宾	淮阴师范学院物理与电子电气工程学院	18	47	4.0	5.0