绝缘体上全局应变硅晶圆的制备和表征

• 作者: 刘旭焱 崔明月 李根全 王爱华 秦怡 鲁道邦
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 应变硅 硅薄膜 锗浓缩 临界厚度
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 页码范围: 420-425
• 页数: 6页
• 分类号: TN304
• 字数: 3453字
• 语种: 中文

摘要

首先使用改良型Ge浓缩法制备了绝缘体上锗硅圆片,然后在超薄弛豫SiGe层上,利用超高真空化学气相沉积法外延了单晶硅薄膜,获得一系列不同厚度的6寸绝缘体上应变硅晶圆.结果表明应变硅薄膜完整、均匀、表面平整且晶体质量良好,获得样品中顶层硅最大应力值达2.22 GPa.应用临界厚度理论对样品厚度和应变值之间的关系进行了分析,发现本实验所得样品在超过临界厚度3倍之后会发生应变弛豫.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李根全	南阳师范学院物理与电子工程学院	75	202	7.0	9.0
2	鲁道邦	南阳师范学院物理与电子工程学院	12	20	3.0	4.0
3	王爱华	南阳师范学院物理与电子工程学院	35	78	5.0	6.0
4	秦怡	南阳师范学院物理与电子工程学院	33	104	6.0	8.0
5	刘旭焱	南阳师范学院物理与电子工程学院	32	68	5.0	6.0
6	崔明月	南阳师范学院物理与电子工程学院	15	57	5.0	6.0