nBn型InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器光电特性研究

• 作者: 何雯谨 冯江敏 史衍丽 张卫锋 胡锐 莫镜辉 袁俊 邓功荣
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: nBn 超晶格 InAs/GaSb 暗电流 Shockley-Read-Hall
• 年，卷（期）: 2014,（11）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 863-867
• 页数: 5页
• 分类号: TN215
• 字数: 2041字
• 语种: 中文

摘要

设计了nBn结构的InAs/GaSb II类超晶格红外探测器，从理论和实验两方面对nBn器件的暗电流特性进行了研究，研究结果表明：理论计算的暗电流和实际测试结果趋势一致。另外，研制了p-i-n结构器件并与nBn器件进行了比较，测试结果显示：在77 K温度下，nBn器件的暗电流要比p-i-n器件暗电流小2个量级。温度升高到150 K时，nBn器件暗电流变大2个量级，而p-i-n器件暗电流变大4个量级；nBn器件峰值探测率下降到1/5，p-i-n器件峰值探测率下降2个量级。可见nBn器件适合高温工作，适合高性能红外焦平面探测器的研制。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	史衍丽		41	372	8.0	18.0
2	袁俊		14	59	5.0	7.0
3	邓功荣		8	26	3.0	4.0
4	张卫锋		6	63	3.0	6.0
5	胡锐		3	63	3.0	3.0
6	冯江敏		3	7	1.0	2.0
7	莫镜辉		7	61	4.0	7.0
8	何雯谨		1	5	1.0	1.0