高频红外吸收测定碳化硅中的SiC

• 作者: 王爱国 郝鹏
• 来源期刊: 铁合金
• 学科: 工学
• 关键词: 预处理 高频红外吸收法 碳化硅
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 化验与分析
• 页码范围: 55-57
• 页数: 3页
• 分类号: TF45-34
• 字数: 1975字
• 语种: 中文

摘要

介绍了一种快速测量碳化硅中的SiC质量分数的方法.首先对SiC试样进行灼烧预处理,除去游离碳,用SiC标准样品校正仪器校正,然后用锡粒、钨粒、纯铁作助熔剂,用高频红外碳硫仪测定碳化硅中的SiC.该方法简洁准确,可用于指导生产.