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摘要:
针对设计研制的512×512 CMOS APS 图像传感器,采用聚焦脉冲激光束研究了其空间单粒子效应特性。试验结果表明,CMOS APS器件图像传感器存在单粒子翻转(SEU)和单粒子锁定(SEL)现象。验证了CMOS APS图像传感器抗单粒子锁定设计的有效性。当对图像传感器移位寄存器区进行照射时,同时发生单粒子翻转和单粒子锁定,器件其它区域也有类似现象。分析了器件单粒子效应的敏感性,获得了器件发生单粒子翻转和锁定的脉冲激光能量阈值及器件锁定电流大小。
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文献信息
篇名 图像传感器单粒子效应脉冲激光实验研究
来源期刊 真空与低温 学科 航空航天
关键词 单粒子效应 脉冲激光 CMOS APS图像传感器
年,卷(期) 2014,(3) 所属期刊栏目 研 究 报 告
研究方向 页码范围 132-135
页数 4页 分类号 V520.6
字数 2963字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1006-7086.2014.03.002
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研究主题发展历程
节点文献
单粒子效应
脉冲激光
CMOS APS图像传感器
研究起点
研究来源
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
真空与低温
双月刊
1006-7086
62-1125/O4
大16开
甘肃省兰州市94信箱
1981
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