小靶材实现大平面基片均匀性膜层沉积的方法

• 作者: 祖成奎 赵华 邱阳 金扬利
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜 磁控溅射 小靶材 大平面基片 均匀性
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 页码范围: 30-32
• 页数: 3页
• 分类号: TH69|O484
• 字数: 2019字
• 语种: 中文

摘要

常规的实验用磁控溅射设备，其固定的靶基工况，导致膜层均匀性区域有限，只能用于较小基片上膜层的沉积。提出一种新的方法，将靶材固定，基片自转或公自转工位变更为靶材可移动，基片自转的方式，并控制靶材的移动及基片自转速率的调节，可以用较小的靶材在较大平面上沉积膜层，所制备膜层具有良好的膜厚均匀性；建立了计算模型，分析了小靶材实现大平面基片均匀性膜层沉积的途径；在Φ260 mm的平片上进行了Ge膜的实际制备，证实了上述思路的可行性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	祖成奎		45	202	7.0	12.0
2	赵华		13	34	4.0	5.0
3	金扬利		11	37	4.0	5.0
4	邱阳		11	30	4.0	5.0