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摘要:
介绍了拓扑绝缘体与量子霍尔效应“家族”的关系和由来,并且从轴子模型的起源角度探讨了三维拓扑绝缘体的磁电耦合效应与冷暗物质轴子模型的联系与区别。结果表明:它们的联系在于材料的电子能带结构和QCD真空结构在拓扑特性上相似,因而有相似的电磁响应;但二者的物理起源不同,有关提议的用磁性拓扑绝缘体( TMI)测暗物质轴子的实验探测的轴子应该是外来的而非TMI产生的。
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文献信息
篇名 三维拓扑绝缘体的磁电耦合效应与冷暗物质轴子
来源期刊 中南民族大学学报(自然科学版) 学科 物理学
关键词 拓扑绝缘体 量子霍尔效应 磁电耦合效应 轴子
年,卷(期) 2014,(4) 所属期刊栏目 物理与电子信息科学
研究方向 页码范围 71-77
页数 7页 分类号 O314
字数 6220字 语种 中文
DOI
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序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李成德 中南民族大学电子信息工程学院 7 4 1.0 1.0
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研究主题发展历程
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拓扑绝缘体
量子霍尔效应
磁电耦合效应
轴子
研究起点
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中南民族大学学报(自然科学版)
季刊
1672-4321
42-1705/N
大16开
武汉市民院路5号
1982
chi
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