微波退火对高k/金属栅中缺陷的修复

• 作者: 吴东平 潘建峰 许鹏 陈玫瑰
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 高k/金属栅 微波退火 缺陷修复 C-V测试 Mo/HfO2/Si
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 428-433
• 分类号: TN305
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.06.006

摘要

研究了微波退火(MWA)对高k/金属栅中缺陷的修复作用.在频率为1和100 kHz下,对所有Mo/HfO2/Si (100)金属-绝缘体-半导体(MIS)结构样品进行C-V特性测试.通过在频率为100 kHz下测量的C-V特性曲线提取出平带电压与电压滞回窗口,从而估算出高k/金属栅中固定电荷密度和电荷陷阱密度,并用Terman方法计算出快界面态密度.通过研究在频率为1 kHz下测量的C-V特性曲线扭结,定性描述高k/金属栅中的慢界面态密度.结果表明,微波退火后,固定电荷、电荷陷阱、快界面态和慢界面态得到一定程度的修复.此外,和快速热退火相比,在相似的热预算下,微波退火可修复高k/金属栅中更多的固定电荷、慢界面态和电荷陷阱.但对于快界面态的修复,微波退火没有明显的优势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴东平	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	5	56	4.0	5.0
2	潘建峰	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	2	6	1.0	2.0
3	陈玫瑰	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	1	1	1.0	1.0
4	许鹏	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	1	1	1.0	1.0