一种新型优化热载流子退化效应的 SOI-LIGBT

• 作者: 刘斯扬 孙伟锋 张春伟 黄婷婷
• 来源期刊: 东南大学学报（英文版）
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘栅双极型晶体管 绝缘体上硅 热载流子效应 优化
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 页码范围: 17-21
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 字数: 1010字
• 语种: 英文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-7985.2014.01.004

摘要

提出了一种新型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管（SOI-LIGBT），该晶体管在沟道下方的 P 型体区旁增加了一个特殊的低掺杂 P 型阱区，在不增加额外工艺的基础上减小了器件线性区电流的退化．分析了低掺杂 P 阱的宽度和深度对 SOI-LIGBT 器件热载流子可靠性的影响．通过增加低掺杂 P 型阱区的宽度，可以减小器件的纵向电场峰值和碰撞电离峰值，从而优化器件的热载流子效应．另外，增加低掺杂 P 型阱区的深度，也会减小器件内部的碰撞电离率，从而减弱器件的热载流子退化．结合低掺杂 P 型阱区的作用和工艺窗口大小的影响，确定低掺杂 P 型阱区的宽度和深度都为2μm．