N2流量对N掺杂MgZnO薄膜结构和性能的影响

• 作者: 姚斌 张淼 徐莹 李永峰 高丽丽
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 射频磁控溅射技术 N掺杂MgZnO薄膜 氮流量比 光电性能
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能
• 页码范围: 689-694
• 页数: 6页
• 分类号: O484.4|O472
• 字数: 2336字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20143506.0689

摘要

利用射频磁控溅射方法,使用Mg0.04Zn0.96O陶瓷靶材,选用不同流量比的氮气和氩气混和气体作为溅射气体,在石英基片上生长N掺杂MgxZn1-xO合金薄膜.研究了氮流量比对薄膜组分、结构、形貌、电学性质和拉曼光谱的影响.结果显示:随着溅射气氛中氮流量比的增加,薄膜中Mg含量增加,薄膜表面颗粒尺寸减小,结晶质量变差,电阻率逐渐增大,导电类型发生转变.在氮流量比为20％时,获得了最好的p型导电薄膜.另外,随着氮流量比的增加,拉曼光谱中与NO相关的位于272 cm-1、642 cm-1左右的振动峰逐渐增强,表明N0的浓度随着氮流量比的加大而有所增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚斌	吉林大学物理学院	23	68	4.0	7.0
2	高丽丽	北华大学物理学院	17	27	4.0	4.0
6	徐莹	吉林大学物理学院	7	7	2.0	2.0
7	张淼	北华大学物理学院	16	14	2.0	2.0
8	李永峰	吉林大学物理学院	2	1	1.0	1.0