中频磁控溅射制备锰铜传感器用合金薄膜的工艺

• 作者: 丁昂 吴敏 张延松 牟宗信 牟晓东 钱坤明
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 物理学
• 关键词: 锰铜合金 溅射功率 形貌 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 427-431
• 分类号: O484.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.13373/j.cnki.cjrm.2014.03.013

摘要

利用镀膜技术制作锰铜传感器,可以实现传感器的超薄化,提高传感器的灵敏度和线性度.改变溅射功率参数,采用中频磁控溅射技术在玻璃(SiO2)衬底上制备出一系列锰铜镍合金薄膜,重点研究沉积条件对薄膜式锰铜传感器薄膜结构、表面形貌等性能的影响.采用三维形貌仪测试薄膜厚度和计算沉积速率;采用原子力显微镜(AFM)研究薄膜的表面特征;采用X射线衍射(XRD)分析了热处理前后薄膜的微观结构;并采用直读光谱仪(DRS)测试溅射靶材和薄膜的成分.研究结果表明:沉积速率随溅射功率增加而增加,溅射功率达到1 kW后沉积速率保持在100 nm·min-;溅射功率也会明显的影响薄膜的表面形貌,薄膜的表面粗糙度RMS随溅射功率的增加而减小;XRD分析结果表明溅射功率对薄膜的微观结构影响不大,样品的微观结构在热处理前后没有显著变化,只是热处理后样品观察到了微弱的Mn微观结构取向;溅射功率变化对薄膜的成分影响较小,不同功率沉积的薄膜样品的成分相近.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张延松		13	36	2.0	5.0
2	丁昂		10	12	2.0	2.0
4	钱坤明		10	45	3.0	6.0
5	牟宗信	大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室	38	217	10.0	12.0
6	吴敏		4	25	2.0	4.0
9	牟晓东	大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室	2	2	1.0	1.0