背照式CCD图像传感器减薄技术研究

• 作者: 邓刚 钟四成 韩恒利
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 背照 CCD 减薄 成像
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 所属期刊栏目: 电子·电路
• 页码范围: 68-70
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 字数: 1110字
• 语种: 中文

摘要

提出了一种研磨减薄和化学腐蚀结合的方法,减薄CCD衬底.研磨减薄采用三氧化二铝的颗粒,减薄硅片至100μm,化学腐蚀采用HF酸、硝酸、冰乙酸组成的混合溶液.实验表明,HF酸、硝酸、冰乙酸比例为2∶1∶11时,混合溶液对衬底与外延层的腐蚀速率比达到89∶1.使用本技术减薄1 024×512可见光CCD,实现了背照式成像.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟四成	重庆光电技术研究所硅工艺中心	8	35	4.0	5.0
2	邓刚	重庆光电技术研究所硅工艺中心	2	18	2.0	2.0
3	韩恒利	重庆光电技术研究所硅工艺中心	6	19	2.0	4.0