可放置于晶圆划片槽的STI应力波动检测电路

• 作者: 刘宁希 姜钰 林殷茵 董庆 陈浩
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 检测电路 STI应力 随机波动 饱和电流 NMOS阵列
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 半导体检测与设备
• 页码范围: 464-468
• 分类号: TN402
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.06.013

摘要

提出了一个简易的浅沟道隔离(STI)应力波动检测电路.该电路可以放入晶圆片狭长的划片槽中,有利于减小芯片测试成本.采用了双开关管以确保测量精度,并实现了对256个器件参数的同时测量,以得到器件的随机波动特性.设置了一系列具有最小沟道长度、相同器件尺寸、不同STI宽度的共9种NMOS阵列.测量了这些阵列的饱和电流Idsat,以分析STI应力对器件性能的影响.此外,还测量了这些阵列的线性区阈值电压Vtlin波动作为对比.测试芯片在28 nm工艺中进行了流片和验证.每种测试电路所占版图面积为415 μm×50μm.测试结果表明STI应力对器件性能有明显的影响,而且随着STI宽度的减小,Idsat波动增大,而Vtlin波动减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈浩	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	56	456	12.0	20.0
2	林殷茵	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	40	129	7.0	10.0
3	姜钰	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	1	0	0.0	0.0
4	刘宁希	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	1	0	0.0	0.0
5	董庆	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	4	7	1.0	2.0