一种积累型槽栅超势垒二极管

• 作者: 乔明 张昕 章文通 许琬
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 超势垒二极管 槽栅 开启电压 泄漏电流
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 页码范围: 33-36
• 页数: 4页
• 分类号: TN312
• 字数: 2746字
• 语种: 中文

摘要

提出了一种积累型槽栅超势垒二极管，该二极管采用N型积累型MOSFET，通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时，在N+区下方以及栅氧化层和N-区界面处形成电子积累的薄层，形成电子电流，进一步降低二极管正向压降；随着外加电压增大，P+区、N-外延区和N+衬底构成的PIN二极管开启，提供大电流。反向阻断时，MOSFET截止，PN结快速耗尽，利用反偏PN结来承担反向耐压。N型积累型MOSFET沟道长度由N+区和N外延区间的N-区长度决定。仿真结果表明，在相同外延层厚度和浓度下，该结构器件的开启电压约为0.23 V，远低于普通PIN二极管的开启电压，较肖特基二极管的开启电压降低约30%，泄漏电流比肖特基二极管小近50倍。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	乔明	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	35	178	8.0	12.0
2	张昕	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	3	2	1.0	1.0
3	章文通	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	3	0	0.0	0.0
4	许琬	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	0	0.0	0.0