50～75 MHz 550 W脉冲功率LDMOSFET器件研制

• 作者: 刘英坤 孙艳玲 张晓帆 胡顺欣 邓建国 郎秀兰
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: LDMOSFET 硅 甚高频(VHF) 长脉冲 大功率
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 365-369
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.05.010

摘要

介绍了射频功率横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(LDMOSFET)器件的设计原理,分析了影响器件输出功率、增益、效率和可靠性的关键因素.报道了采用扩散通源结构实现源极到衬底的低阻导通,采用TiSi2/多晶硅复合栅结构降低栅电阻以及采用单层屏蔽栅场板结构和双层金属布线工艺成功研制出一种甚高频(VHF),大功率LDMOSFET器件.器件在工作频率50～75 MHz、工作电压36 V、工作脉宽10 ms和占空比30％的工作条件下带内输出功率大于550 W、功率增益大于20 dB、漏极效率大于60％和抗驻波比大于5∶1,表现出了良好的微波性能.器件经过高温反偏、高温存储和高低温循环等可靠性筛选,性能稳定,具备工程化实用能力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡顺欣	中国电子科技集团公司第十三研究所	9	21	3.0	4.0
2	邓建国	中国电子科技集团公司第十三研究所	19	45	4.0	5.0
3	刘英坤	中国电子科技集团公司第十三研究所	30	183	8.0	12.0
4	张晓帆	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	6	1.0	2.0
5	孙艳玲	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	31	3.0	5.0
6	郎秀兰	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	13	2.0	3.0