等离子体增强InAs单量子点荧光辐射的研究

• 作者: 倪海桥 孙宝权 牛智川 王海艳 窦秀明
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: InAs单量子点 金岛膜纳米结构 荧光增强
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 027801-1-027801-5
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.027801

摘要

通过测量光致发光(PL)谱、PL时间分辨光谱及不同激发功率下PL发光强度，研究了低温(5 K)下等离子体对InAs单量子点PL光谱的增强效应。采用电子束蒸发镀膜技术在InAs量子点样品表面淀积了5 nm厚度的金膜，形成纳米金岛膜结构。实验发现，金岛膜有利于量子点样品发光强度的增加，最大PL强度增加了约5倍，其主要物理机理是金岛膜纳米结构提高了量子点PL光谱的收集效率。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙宝权	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	20	17	2.0	3.0
2	王海艳	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	20	209	8.0	14.0
3	窦秀明	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	13	37	4.0	5.0
4	牛智川	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	45	124	5.0	8.0
5	倪海桥	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	14	8	1.0	1.0