InAs／GaSbII型超晶格红外探测器的研究进展

• 作者: 周立庆 宋淑芳 巩锋
• 来源期刊: 激光与红外
• 学科: 工学
• 关键词: II类超晶格 红外材料 红外探测器
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 所属期刊栏目: 综述与评论
• 页码范围: 117-121
• 页数: 5页
• 分类号: TN215
• 字数: 2748字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5078.2014.02.0

摘要

InAs/GaSbII型超晶格材料理论上性能优于HgCdTe、InSb等红外探测材料，基于成熟的III-V族化合物材料与器件工艺，使得II型超晶格材料容易满足均匀大面阵、双色或多色集成等红外探测器的要求，因而InAs/GaSbII型超晶格材料将逐步替代HgCdTe、InSb等材料成为第三代红外探测器的首选材料。本文阐述了InAs/GaSb超晶格红外探测器的基本原理、以及材料生长和器件结构，并对其研究进展进行了综述性介绍。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周立庆		41	106	5.0	8.0
2	巩锋		17	70	5.0	7.0
3	宋淑芳		12	56	3.0	7.0