不同磨料质量分数对化学机械平坦化的影响

• 作者: 刘伟娟 刘玉岭 王辰伟 蒋勐婷 袁浩博 陈国栋
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械平坦化(CMP) 抛光速率 膜厚一致性 碟形坑 蚀坑
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 399-403
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2014.06.009

摘要

采用自主研发的碱性铜抛光液,在E460E机台上研究了不同磨料质量分数对铜和钽抛光速率与膜厚一致性的影响;分析了磨料质量分数为2％,2.8％和3.6％时,膜厚一致性对平坦化的影响.抛光结果显示:当磨料质量分数高于2.8％时,抛光液开始对钽进行有效的抛光;随着磨料浓度的增加,抛光液的膜厚一致性提高趋于平缓.磨料质量分数为2.8％和3.6％时,抛光后膜厚一致性变好,碟形坑满足工业生产要求;磨料质量分数为2％时,抛光后膜厚一致性比抛光前恶化,碟形坑相对较大.由此可见,当磨料质量分数为2.8％时,抛光液能有效去除残余铜,并且抛光后膜厚一致性好,有利于实现平坦化,尤其是对提高成品率和优品率有重要的作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
2	王辰伟	河北工业大学微电子研究所	80	287	8.0	10.0
3	蒋勐婷	河北工业大学微电子研究所	3	18	3.0	3.0
4	袁浩博	河北工业大学微电子研究所	3	18	3.0	3.0
5	陈国栋	河北工业大学微电子研究所	3	18	3.0	3.0
6	刘伟娟	河北工业大学微电子研究所	4	18	3.0	4.0