掺杂浓度对重掺硼直拉<111>单晶硅小角晶界的影响

• 作者: 何国君 孙新利 徐一俊 祖国 郭兵健 陆燕 黄笑容
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 小角晶界 掺杂浓度 单晶硅 重掺硼 晶格补偿
• 年，卷（期）: 2014,（11）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 855-860
• 分类号: TN304.053
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.11.012

摘要

小角晶界是重掺硼直拉<111>单晶硅生产制造过程中出现的严重缺陷,生产中需要避免.主要研究掺杂浓度对小角晶界的影响,通过实验发现当前工艺下小角晶界产生的临界掺杂浓度为9.05×1019 cm-3.分析研究小角晶界的宏观分布及形态特征,其宏观分布与晶体各项异性具有一致性,并随掺杂浓度变化而规律性变化.利用位错模型计算小角晶界两侧晶向差为0.6"～12.76",其晶向差随掺杂浓度增加而逐步变大.根据位错模型计算并分析自由能与掺杂浓度的关系,得到样品中宏观长度下小角晶界自由能为5.037×10-10～7 200.421×10-10J,并随着掺杂浓度增加而逐步变大.此外结合生长工艺和晶格补偿原理,提出高掺杂浓度下避免小角晶界的方法,并得到无小角晶界的重掺硼单晶硅,对实际生产有重要意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙新利		1	0	0.0	0.0
2	黄笑容		1	0	0.0	0.0
3	徐一俊		1	0	0.0	0.0
4	郭兵健		1	0	0.0	0.0
5	何国君		1	0	0.0	0.0
6	陆燕		1	0	0.0	0.0
7	祖国		1	0	0.0	0.0