基于CMOS工艺的双结深CTIA荧光传感器

• 作者: 施朝霞 朱大中
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 荧光传感器 双结深光电二极管 CMOS CTIA
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 所属期刊栏目: 化学与物理类传感器
• 页码范围: 153-157
• 页数: 5页
• 分类号: TN491|TP211
• 字数: 2176字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2014.02.001

摘要

基于标准CMOS工艺设计了P+/Nwell/Psub双结深光电二极管,建立了双结深光电二极管的光电响应模型,并用MATLAB仿真比较了单、双结光电二极管的光电响应灵敏度。针对双结深光电二极管分别设计了3T和CTIA有源像素电路,单个像素尺寸为100μm×100μm,采用0.5μm CMOS工艺实现。实验测试了在不同光强下有源像素电路的光电转换特性。双结深光电二极管的峰值灵敏度为0.59 A/W@440 nm,双结深的3T像素光电转换灵敏度为42 V/(lux·s),双结深的CTIA像素光电转换灵敏度为2243 V/( lux·s)。结果表明,采用双结深的CTIA光电传感电路对微弱的光具有更高的光电转换灵敏度,可以应用在环境、生物、医学荧光检测中。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱大中	浙江大学信息学院微电子与光电子研究所	43	188	8.0	11.0
2	施朝霞	浙江工业大学信息学院光纤通信与信息工程研究所	19	25	3.0	4.0