SnO2薄膜与 n-SnO2／p-Si 异质结光电特性的研究

• 作者: 刘咏梅 姜如青 赵灵智 邢瑞林
• 来源期刊: 华南师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一性原理 SnO2 薄膜 脉冲激光沉积法 n-SnO2/p-Si异质结 光电性质
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 物理与光学工程
• 页码范围: 45-48
• 页数: 4页
• 分类号: O475
• 字数: 2625字
• 语种: 中文
• DOI: 10.6054/j.jscnun.2014.06.013

摘要

基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法，建立SnO2超晶胞模型并进行几何结构优化，对其能带结构进行了模拟计算．结果显示，导带底和价带顶位于G点处，表明SnO2是一种直接带隙半导体．同时，采用脉冲激光沉积法分别在蓝宝石衬底和Si衬底上制备出SnO2薄膜及n-SnO2/p-Si异质结．扫描电镜结果表明，SnO2薄膜晶粒均匀．霍尔测试结果表明，SnO2薄膜载流子浓度高达1.39×1020 cm-3．吸收谱测试表明，SnO2薄膜光学带隙为3.73 eV．n-SnO2/p-Si异质结的I-V曲线显示出其良好的整流特性．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵灵智	华南师范大学光电子材料与技术研究所	38	573	11.0	23.0
2	刘咏梅	华南师范大学光电子材料与技术研究所	2	2	1.0	1.0
3	姜如青	华南师范大学光电子材料与技术研究所	2	2	1.0	1.0
4	邢瑞林		2	13	1.0	2.0