C原子在Cu（200）表面吸附的第一原理研究

• 作者: 付志雄 毕冬梅 赵利军
• 来源期刊: 长春大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: Cu表面 C原子吸附 第一原理
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 所属期刊栏目: 数理科学
• 页码范围: 766-768
• 页数: 3页
• 分类号: TB383
• 字数: 2092字
• 语种: 中文

摘要

采用第一原理密度泛函理论研究了C原子在Cu (200)表面吸附后的几何结构和电子结构,计算了C原子在Cu (200)表面的吸附能、Cu (200)表面的局部结构变化、表面电荷分布以及C原子吸附后的差分电荷密度。研究结果表明Cu (200)表面的Hollow位是C原子的最优吸附位,C原子与Cu原子之间形成化学键,在C原子和Cu表面之间存在电荷转移。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵利军	长春大学理学院	34	49	4.0	5.0
2	毕冬梅	长春大学理学院	39	44	4.0	4.0
3	付志雄	长春大学理学院	13	10	2.0	2.0