工艺阱深对CMOS集成电路抗闩锁性能的影响

• 作者: 虞勇坚 韩兆芳
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: P阱 闩锁效应 可控硅 CMOS集成电路
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 页码范围: 45-47
• 页数: 3页
• 分类号: TN433
• 字数: 2075字
• 语种: 中文

摘要

闩锁效应是体硅CMOS电路中最为严重的失效机理之一，而且随着器件特征尺寸越来越小，使得CMOS电路结构中的闩锁效应日益突出。以P阱CMOS反相器和CMOS集成电路的工艺结构为基础，采用可控硅等效电路模型，较为详细地分析了闩锁效应的形成机理，并利用试验证实，通过加深P阱深度，可以明显提升CMOS电路的抗闩锁性能。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	虞勇坚		7	8	2.0	2.0
2	韩兆芳		5	2	1.0	1.0