沉积位置对LPCVD SiC涂层微观结构的影响

• 作者: 付前刚 张渭阳 景伟 王少龙 郭领军
• 来源期刊: 固体火箭技术
• 学科: 航空航天
• 关键词: 低压化学气相沉积 沉积位置 SiC涂层 微观结构
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 结构、材料与工艺
• 页码范围: 724-728,733
• 页数: 6页
• 分类号: V257
• 字数: 3869字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7673/j.issn.1006-2793.2014.05.026

摘要

采用低压化学气相沉积法( LPCVD)在炭纤维表面制备了SiC涂层，借助扫描电镜、X射线衍射仪和拉曼光谱仪对不同沉积位置SiC涂层的微观形貌和晶体结构进行了表征。 SEM结果表明，沿气流方向，涂层表面逐渐致密和均匀；SiC涂层为多层结构，这种多层结构的形成可能是由于反应中产生的HCl气体吸附在表面反应活性点，从而通过活性点的阻塞机制来阻止SiC晶粒的生长。 XRD结果表明，制备的涂层中存在自由碳，各位置处的SiC晶体在(111)晶面存在择优取向，且沿气流方向(111)晶面的取向性逐渐减弱，(220)和(311)晶面的取向性逐渐增加。拉曼光谱低段频谱(200~600 cm-1)的出现表明CVD涂层中存在一定的缺陷。