半导体碳纳米管中的高能激子

• 作者: 王俊杰 赵红波 高进伟
• 来源期刊: 华南师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳纳米管 组态相互作用 激子 吸收谱
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 物理与光学工程
• 页码范围: 41-44
• 页数: 4页
• 分类号: O469
• 字数: 3268字
• 语种: 中文
• DOI: 10.6054/j.jscnun.2014.06.001

摘要

利用单激发组态相互作用（ SCI ）方法，对半导体性单壁碳纳米管的电子结构和光学吸收谱进行理论计算。结果表明，激发碳纳米管得到了由电子空穴对相互束缚而成的激子，除了实验上常观测到的低能激子态之外，在高能处，甚至在连续能带中还出现了激子。部分高能激子来源于类似表面态的激发。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王俊杰	华南师范大学物理与电信工程学院量子调控工程与材料广东省重点实验室	1	3	1.0	1.0
2	高进伟	华南先进光电子研究院先进材料研究所	1	3	1.0	1.0