硅纳米晶存储器的耐受性研究

• 作者: 刘明 姜丹丹 杨潇楠 王永 霍宗亮 靳磊
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅纳米晶存储器 耐受性 界面陷阱 能级分布 退化
• 年，卷（期）: 2014,（8）
• 所属期刊栏目: 器件与技术
• 页码范围: 481-488
• 分类号: TB383|TN304.12
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2014.08.001

摘要

首先介绍了硅纳米晶粒的制备工艺以及硅纳米晶存储器件的基本特性.接着重点探讨了硅纳米晶存储器耐久性退化的物理机制,发现应力引起的界面陷阱是耐受性退化的主要原因.随后,同时采用多种分析手段,如电荷泵法和CV曲线分析法对界面陷阱的退化机理进行了更深入细致的研究.从界面陷阱在禁带中的能级分布中发现,相较于未施加应力时界面陷阱的双峰分布,施加应力后产生了新的Pb1中心的双峰.最后,分别从降低擦写电压和对载流子预热的角度提出了三种新的编程方法,有效提高了硅纳米晶存储器件的耐受性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘明	中国科学院微电子研究所	207	1983	20.0	38.0
2	王永	中国科学院微电子研究所	221	1818	20.0	29.0
3	霍宗亮	中国科学院微电子研究所	10	8	2.0	2.0
4	姜丹丹	成都信息工程学院通信工程学院	5	5	1.0	2.0
8	靳磊	中国科学院微电子研究所	1	0	0.0	0.0
9	杨潇楠	中国科学院微电子研究所	2	0	0.0	0.0