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摘要:
将SiC泡沫陶瓷氧化,用挤压铸造法制备SiC泡沫陶瓷/Fe基双连续相复合材料并对其退火,研究了制备工艺和SiC泡沫陶瓷的体积分数对其微观组织和力学性能的影响.结果表明,在1250℃氧化48 h后在SiC泡沫陶瓷表面生成了厚度为1μm的SiO2反应阻挡层.在双连续相复合材料的制备过程中,SiO2反应阻挡层抑制Fe与SiC的化学反应,避免了脆性化合物Fe3Si的生成,改善了基体与增强体的界面,使复合材料的抗弯强度提高2倍,压缩强度提高18%.当SiC泡沫陶瓷的氧化时间增至72 h时,SiC泡沫陶瓷表面SiO2的厚度过大.SiO2与基体和增强体热膨胀系数不匹配,使复合材料内相界面间的残余应力增加,导致其性能下降.将SiC泡沫陶瓷/Fe基双连续相复合材料在600℃退火4h,可降低复合材料中的残余应力,提高复合材料的性能.SiC的体积分数较低时,金属基体的桥接、偏转裂纹的作用比较大,复合材料的弯曲强度高,变形程度大.随着复合材料中SiC体积分数的增大,SiC骨架筋增粗,其承载能力加强,复合材料的压缩强度呈提高的趋势.
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关键词云
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文献信息
篇名 SiC泡沫陶瓷/Fe基双连续相复合材料的制备和性能
来源期刊 材料研究学报 学科 工学
关键词 复合材料 泡沫陶瓷 SiO2反应阻挡层 力学性能
年,卷(期) 2014,(11) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 814-820
页数 7页 分类号 TB333
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 曹小明 中国科学院金属研究所 41 468 15.0 20.0
2 张劲松 中国科学院金属研究所 153 2921 28.0 48.0
3 金鹏 中国科学院金属研究所 29 262 7.0 16.0
4 任志恒 中国科学院金属研究所 5 4 2.0 2.0
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泡沫陶瓷
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材料研究学报
月刊
1005-3093
21-1328/TG
大16开
辽宁省沈阳市文化路72号
8-185
1987
chi
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2553
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