IGBT控制大电流脉冲放电时的过压保护

• 作者: 宗泽源 施芸城
• 来源期刊: 江西科学
• 关键词: IGBT 大电流 过压保护 RCD吸收电路
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 工程与材料科学
• 页码范围: 95-98
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.2
• 语种: 中文

摘要

IGBT在控制脉冲大电流时,回路杂散电感中存在较高电流变化率所形成的纳秒高尖峰电压,从而产生过压损坏.通过分析3种类型(C型、RC型和RCD型)吸收电路的特点,采用RCD型和C型吸收电路的组合后,可以有效地使尖峰能量向脉冲后沿分散,使高压尖峰转化为低压震荡.最终可将IGBT在关断时的C-E极间电压控制在不超过母线电压的1/3,从而达到保护IGBT的目的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	施芸城	东华大学理学院	21	92	6.0	9.0
2	宗泽源	东华大学理学院	2	3	1.0	1.0