基于SOI CMOS工艺的LVDS驱动器设计

• 作者: 刘海南 卜山 周玉梅 赵建中
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 低压差分信号传输(LVDS) 绝缘体硅(SOI) 共模反馈 低输入负载 环路补偿
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 326-329,334
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.05.002

摘要

基于绝缘体硅(SOI)0.35μm工艺实现了一款满足IEEE 1596.3和ANSI/TIA/EIA-644工业标准的低压差分信号(LVDS)驱动器芯片.全芯片分为预驱动模块、输出驱动模块、共模反馈模块、使能模块和偏置模块.提出了一种具有低输入电容输出驱动模块电路结构,经仿真验证可有效降低LVDS预驱动模块30％的功耗,同时降低29％的信号延时.芯片利用共模反馈机制控制输出信号的共模电平范围,通过环路补偿保证共模反馈电路的环路稳定性.芯片使用3.3V供电电压,经Spice仿真并流片测试,输出信号共模电平1.23 V,差分输出电压347 mV,在400 Mbit/s数据传输速率下单路动态功耗为22 mW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周玉梅	中国科学院微电子研究所	94	1031	16.0	28.0
2	赵建中	中国科学院微电子研究所	16	163	6.0	12.0
3	刘海南	中国科学院微电子研究所	14	32	3.0	5.0
4	卜山	中国科学院微电子研究所	1	3	1.0	1.0