聚偏氟乙烯共聚物薄膜铁电性能和电容特性研究

• 作者: 宋江闯 赵会玲
• 来源期刊: 化工新型材料
• 关键词: 铁电性 聚(偏氟乙烯-三氟乙烯) 聚(偏氟乙烯-氯氟乙烯) 电容性 超薄薄膜
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 所属期刊栏目: 科学研究
• 页码范围: 152-154
• 页数: 3页
• 语种: 中文

摘要

制备了以聚苯乙烯磺酸(PSSH)为上下界面层的聚(偏氟乙烯)(PVDF)二元共聚物聚(偏氟乙烯三氟乙烯)[P(VDF-TrFE)]及聚(偏氟乙烯氯氟乙烯)[P(VDF-CTFE)]的三明治结构电容器,研究了P(VDF-TrFE)和P(VDF-CTFE)2两种共聚物薄膜的铁电性能和电容特性.结果表明,厚度为60nm的Ti/PSSH/P(VDF-TrFE)/PSSH/Ti超薄薄膜表现出优异的铁电性能;而厚度为100nm的Ti/PSSH/ P(VDF-CTFE)/PSSH/Ti薄膜表现出较好的电容特性,存储能量密度高达60J/cm3.研究结果为其在电子器件上的应用提供理论指导.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋江闯		12	18	3.0	4.0
2	赵会玲		19	203	6.0	14.0