碲镉汞干法刻蚀速率的微负载效应研究

• 作者: 韩福忠 龚晓丹
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碲镉汞 干法刻蚀 刻蚀速度 微负载效应
• 年，卷（期）: 2014,（10）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 832-835
• 页数: 4页
• 分类号: TN215
• 字数: 2410字
• 语种: 中文

摘要

报道了碲镉汞干法刻蚀技术的刻蚀速率的一些研究结果。在同样的刻蚀条件下，当刻蚀区域的图形面积过小，刻蚀剂不易进入刻蚀区域，生成物也不易快速转移出去，使刻蚀速率变慢，这种效应可以等效于刻蚀的微负载效应。而当刻蚀区域的面积过大，刻蚀剂很快被消耗，也会使刻蚀速率变慢，这种效应称为负载效应。采用在同一碲镉汞芯片上制作不同刻蚀面积区域进行刻蚀，比较不同刻蚀面积对刻蚀速率的影响。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	龚晓丹		2	3	1.0	1.0
2	韩福忠		19	61	5.0	6.0