有机分子修饰的SiNSs电子性质的第一性原理研究

• 作者: 刘阳 吴一新 杜罡 梁培 董前民
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅纳米单层(SiNS) 表面钝化 覆盖度 电子结构 有机分子
• 年，卷（期）: 2014,（8）
• 所属期刊栏目: 材料与结构
• 页码范围: 503-507,517
• 分类号: TB383
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2014.08.004

摘要

类石墨烯型硅纳米单层(SiNS)材料具有和石墨烯类似的电子性质,由于其较强的表面活性和多表面悬挂键,表面钝化对于其电子结构有着重要的影响.采用第一性原理的方法结合PBE近似,优化了有机分子基团(C6H13-)钝化的SiNSs的几何结构,并计算了其电子结构.结果表明相比H-钝化的SiNSs结构,有机分子基团钝化的SiNSs带隙变窄,其原因是有机分子基团的吸附打破了原有H-钝化的结构的平衡,使得导带中的电子下移.不同覆盖度研究表明,随着大有机分子基团(C6H13-)的增加其带隙呈现出递减趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁培		44	233	9.0	14.0
3	董前民	中国计量学院光学与电子科技学院	29	209	8.0	13.0
4	刘阳	中国计量学院光学与电子科技学院	10	34	3.0	5.0
5	吴一新		2	0	0.0	0.0
8	杜罡		1	0	0.0	0.0