MCT与Clustered IGBT在大功率应用中的比较研究

• 作者: 孙瑞泽 张波 彭朝飞 阮建新 陈万军
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 组合式绝缘栅晶体管 栅控晶闸管 大功率应用 脉冲放电
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 页码范围: 32-36
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.2
• 字数: 1968字
• 语种: 中文

摘要

针对两种应用于大功率领域的半导体器件--栅控晶闸管（MCT）和组合式绝缘栅晶体管（CIGBT），采用数值仿真软件进行了比较研究。静态仿真结果表明MCT具有更低的正向压降，只有CIGBT的50%左右，而CIGBT得益于其电流饱和特性，具有更大的短路安全工作区。开关仿真结果表明CIGBT具有比MCT更短的关断时间和更小的关断能量，更适合应用于高频领域。同时研究了MCT和CIGBT在脉冲放电应用中的特性，结果表明MCT具有更大的脉冲峰值电流和更快的电流上升率，并首次论证了脉冲放电过程中器件物理机制的区别。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张波	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	206	1313	17.0	26.0
2	陈万军	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	18	128	4.0	11.0
3	孙瑞泽	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	4	1.0	2.0
4	彭朝飞	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	4	1.0	1.0
5	阮建新	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	4	1.0	1.0