抗辐射加固的Σ-△调制器设计

• 作者: 刘云涛 杜斌 王颖 陈杰
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: ∑-△调制器 抗辐射加固 非理想特性建模 全差分运算放大器 MASH结构
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 335-340,346
• 分类号: TN76
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.05.004

摘要

针对辐射环境下的传感器应用,设计了一种抗辐射加固的∑-△调制器.通过对调制器非理想特性的建模来确定电路的设计参数.通过调节放大器的偏置电路使其在总剂量(TID)辐射引起的阈值偏移下仍然工作在饱和区.该调制器用3阶MASH结构实现,为了获得更好的线性度,采用单位量化技术.在TSMC 2P4M工艺下,信号带宽为22 kHz,电源电压3.3V,采样时钟频率为11.264 MHz.仿真结果表明,功耗为39 mW,可达到17 bit以上的有效转换位数.在温度-40～85℃及辐射剂量100 Mrad以下范围内,该设计均保持17 bit以上的有效转换位数,能够在极端环境下有效工作.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王颖	哈尔滨工程大学信息与通信工程学院	55	237	9.0	13.0
2	刘云涛	哈尔滨工程大学信息与通信工程学院	25	70	5.0	7.0
3	陈杰	中国科学院微电子研究所	247	3126	30.0	49.0
4	杜斌	哈尔滨工程大学信息与通信工程学院	4	10	3.0	3.0