基于AMBA总线的高性能QDRⅡSRAM控制器设计

• 作者: 李天阳 汤飞龙 王月玲
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: QDR SRAM 存储 状态机 SOC
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 页码范围: 23-27,31
• 页数: 6页
• 分类号: TN402
• 字数: 3669字
• 语种: 中文

摘要

针对高速网络的需求，介绍了一种高速静态存储器QDRⅡ SRAM，设计了一种基于AMBA总线的高性能QDRⅡSRAM控制器IP，具有良好的接口兼容性和可移植性。使用了深度为8×72位的写出FIFO与8×72位读入缓冲，增加了系统存取的效率，设计通过仿真及实际验证，能够良好应用于系统时钟为800 MHz的SOC环境中，满足功能和时序要求。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王月玲		8	28	4.0	5.0
2	李天阳		11	29	4.0	4.0
3	汤飞龙		1	4	1.0	1.0