应用硅穿孔技术的3D集成电路

• 作者: 周建民
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路 3D 硅晶穿孔 TSV
• 年，卷（期）: 2014,（10）
• 所属期刊栏目: 应用专题
• 页码范围: 32-35
• 页数: 4页
• 分类号: TN403
• 字数: 4060字
• 语种: 中文

摘要

应用直通硅晶穿孔(TSV)技术的三维集成电路(3D IC)为半导体业界提供全新境界的效率、功耗、效能及体积优势。然而，若要让3D IC成为主流，还必须执行许多基础的工作。电子设计自动化(EDA)厂商提供的解决方案支援3D IC变革，包括模拟与数字设计实现、封装与印刷电路板(PCB)设计工具。半导体厂可以运用这个解决方案，满足高效率设计应用TSV技术的3D IC的所有需求。