P型非晶硅薄膜制备及其在HIT太阳电池中应用

• 作者: 杨瑞霞 薛俊明 雷青松 齐晓光
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: RF-PECVD 非晶硅薄膜 硼烷浓度 加热温度 HIT太阳电池
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 页码范围: 280-284
• 页数: 5页
• 分类号: O484.4
• 字数: 3320字
• 语种: 中文

摘要

采用RF-PECVD沉积技术制备P型非晶硅薄膜材料,研究硼烷浓度和加热温度对薄膜性能的影响.通过对两者优化,制备出了宽光学带隙、高电导率和致密性较好的P型非晶硅材料.作为窗口层应用到HIT太阳电池中,对其厚度进行优化,在N型单晶硅衬底上制备出了效率为14.28％的HIT太阳电池.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨瑞霞	河北工业大学信息工程学院	180	759	13.0	18.0
2	薛俊明		15	43	5.0	5.0
3	齐晓光	河北工业大学信息工程学院	3	26	3.0	3.0
4	雷青松		9	35	4.0	5.0