小型化低相噪FBAR压控振荡器的研制

• 作者: 袁彪 郭文胜
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 小型化 低相位噪声 单片微波集成电路(MMIC) 薄膜声体波谐振器(FBAR) 压控振荡器(VCO)
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 347-351
• 分类号: TN43|TN75
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.05.006

摘要

利用薄膜声体波谐振器(FBAR),结合GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺研制了一款小型化低相噪FBAR压控振荡器.将振荡三极管、偏置电路及隔离缓冲放大器集成到一个GaAs单片微波集成电路(MMIC)中,振荡管基极接薄膜电感形成负阻,发射极通过键合线与FBAR进行互连.将GaAs单片集成电路的大信号模型作为一个非线性器件,用探针台测试FBAR谐振器的单端口S参数,导入ADS软件进行谐波平衡法仿真和优化;通过电路制作和调试,达到了预期设计目标.该FBAR压控振荡器中心频率为2.44 GHz,调谐带宽15 MHz,单边带相位噪声达-110 dBc/Hz@10 kHz,与同频段同轴介质压控振荡器指标相当,但其尺寸更小,仅为5 mm×7 mm×2.35 mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭文胜	中国电子科技集团公司第十三研究所	8	28	4.0	5.0
2	袁彪	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	5	2.0	2.0