背接触势垒对a-Si∶H/c-Si异质结太阳电池性能的影响

• 作者: 于倩 张德贤 王奉友 胡楠 苏超 蔡宏琨
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 异质结 太阳电池 背接触 模拟计算
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 页码范围: 275-279
• 页数: 5页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 2499字
• 语种: 中文

摘要

由载流子输运理论推出a-Si∶ H/c-Si异质结太阳电池的背接触势垒是其J-V曲线出现S-shape现象的原因之一,此时电池内部存在两个串联反偏的二极管,阻碍载流子输运.通过模拟计算验证该结论,发现硅基异质结太阳电池背接触产生的肖特基势垒高度存在最大临界值,高于此值则电池的开路电压、填充因子和转换效率会急剧衰减,而短路电流密度基本不变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张德贤	南开大学信息技术科学学院电子科学与微电子系	22	77	5.0	8.0
3	蔡宏琨	南开大学信息技术科学学院电子科学与微电子系	13	26	3.0	4.0
5	王奉友	南开大学信息技术科学学院电子科学与微电子系	2	2	1.0	1.0
10	苏超	南开大学信息技术科学学院电子科学与微电子系	2	1	1.0	1.0
11	于倩	南开大学信息技术科学学院电子科学与微电子系	4	17	1.0	4.0