双注入区量子点超辐射发光管的数值模拟

• 作者: 吴巨 吴艳华 安琪 李新坤 王占国 王飞飞 胡发杰 金鹏 陈红梅
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 超辐射发光管(SLD) 量子点(QD) 双注入区结构 器件模型 结构参数
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 器件与技术
• 页码范围: 286-296
• 分类号: TN36|O471.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2014.05.002

摘要

数值模拟了结构参数(超辐射区腔长和脊宽,光放大区腔长和张角)对双注入区量子点超辐射发光管器件性能(光谱和功率等)的影响.结果表明,当器件超辐射区注入电流和放大区注入电流均固定时,随着超辐射区腔长的增加,输出光谱中激发态强度减弱,基态强度先增强后减弱;随着放大区腔长的增加,输出光谱中基态强度增加,激发态强度先增加后减弱.超辐射区脊宽越大,逆向光波耦合到超辐射区的耦合系数越大,输出光强度越小.放大区张角越大,逆向光波耦合到超辐射区的耦合系数越小,输出光强度越小.为设计和优化该类型器件结构提供一定的依据.