退火对Al-Al2O3-Ti/Au金属-绝缘体-金属电子源发射特性的影响

• 作者: 刘纯亮 张小宁 胡一华 薛涛
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 金属-绝缘体-金属 电子发射特性 退火 电形成
• 年，卷（期）: 2014,（11）
• 所属期刊栏目: 电子器件
• 页码范围: 1228-1233
• 分类号: O462.4|TN104.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2014.11.17

摘要

研究了退火工艺对金属-绝缘体-金属(MIM)器件(Al-Al2O3-Ti/Au结构)的发射特性的影响.在对MIM器件Ti/Au顶电极进行退火处理后,金属离子渗入绝缘层形成掺杂,器件发射电流密度提高,有效发射面积增大,并有较高发射效率,在加速电压200V,器件偏置电压13.5 V时电子发射电流密度达到1056.6 μA/cm2,最大发射效率为4.7％,最优退火温度为300℃.在对MIM器件的Al底电极进行退火处理后,可以减小电化学氧化的电解质掺杂,提高器件发射寿命,器件工作于非电形成状态,电子发射电流密度波动小.对Al底电极的单独退火可使器件同时具有发射大、稳定性好的优点,在提高MIM发射性能的同时,缩短了器件制备周期.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘纯亮	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	124	527	9.0	16.0
2	张小宁	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	37	116	6.0	8.0
3	薛涛	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	19	168	6.0	12.0
4	胡一华	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	1	1	1.0	1.0