X波段GaN五位数字移相器MMIC的设计

• 作者: 刘新宇 姜元祺 张霍 罗卫军 马佩军
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 射频电路设计 仿真 数字移相器 X波段 氮化镓 单片微波集成电路
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 441-444
• 页数: 4页
• 分类号: TN454
• 字数: 2266字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2014.03.014

摘要

采用0.5μm GaN HEMT工艺设计了X波段五位数字移相器的单片微波集成电路(MMIC),描述了移相器的设计过程,并进行了版图电磁仿真。该移相器采用高低通滤波器型网络和加载线型结构。利用电路匹配技术设计移相器电路的开关结构,将GaN器件的插入损耗从14 dB降至1 dB。版图仿真结果表明,在9.2 GHz~10.2 GHz频带范围内,均方根移相误差小于3.5o,插入损耗典型值为17.4 dB,回波损耗小于-12 dB,版图尺寸为5.0 mm×4.7 mm。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马佩军	西安电子科技大学微电子学院	34	163	8.0	10.0
5	罗卫军	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	17	35	4.0	5.0
6	张霍	西安电子科技大学微电子学院	1	4	1.0	1.0
10	姜元祺	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件国家重点实验室	1	4	1.0	1.0