ITO表面粗化提高GaN基LED芯片出光效率

• 作者: 王洪 胡晓龙 胡金勇 黄华茂
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: LED ITO 表面粗化 出光效率
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 613-617
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 2972字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20143505.0613

摘要

使用现有生产线上工艺成熟且成本低廉的技术实现ITO粗化以提高GaN基LED蓝光芯片的出光效率是产业界重要的研究课题.本文通过普通光刻技术和湿法腐蚀技术,实现ITO表面粗化,有效地提高了LED芯片的输出光功率.输入电流为20mA时,ITO层制备密集分布的三角周期圆孔阵列后,芯片输出光功率提升11.4％,但正向电压升高0.178 v;微结构优化设计后,芯片输出光功率提升8.2％,正向电压仅升高0.044 V.小电流注入时,密集分布的三角周期圆孔阵列有利于获得较高的输出光功率.大电流注入时,这种结构将导致电流拥挤,芯片的电光转化效率衰减严重.经过优化设计后的微结构阵列器件,具有较高的电注入效率,因此芯片的出光效率较高且随输入电流的增加而衰减的趋势较慢,因此更适合大电流下工作.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王洪	华南理工大学理学院物理系广东省光电工程技术研究开发中心	61	412	10.0	18.0
2	胡金勇	华南理工大学理学院物理系广东省光电工程技术研究开发中心	1	13	1.0	1.0
3	黄华茂	华南理工大学理学院物理系广东省光电工程技术研究开发中心	13	58	5.0	7.0
4	胡晓龙	华南理工大学理学院物理系广东省光电工程技术研究开发中心	10	35	3.0	5.0