快速恢复外延二极管用硅外延片的工艺研究

• 作者: 李扬 李明达 王文林 陈涛
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 快恢复二极管 硅外延片 本征层生长 过渡区
• 年，卷（期）: 2014,（11）
• 页码范围: 37-40
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 3298字
• 语种: 中文

摘要

利用化学气相沉积方法制备所需硅外延层，通过FTIR（傅里叶变换红外线光谱分析）、C-V（电容-电压测试）、SRP（扩展电阻技术）等多种测试方法获取外延层的几何参数、电学参数以及过渡区形貌。详细研究了本征层生长工艺与外延层厚度分布、电阻率分布以及过渡区形貌之间的对应关系。采用该优化设计的硅外延材料，成功提高了FRED器件的性能与成品率。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王文林		15	14	3.0	3.0
2	李明达		21	34	4.0	4.0
3	陈涛		23	41	4.0	4.0
4	李扬		7	78	2.0	7.0