非晶硅薄膜晶体管关态电流的物理模型

• 作者: 何玉娟 刘远 师谦 恩云飞 郝跃
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 非晶硅 薄膜晶体管 关态电流 泄漏电流 反向亚阈电流
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 页码范围: 135-140
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 3716字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2014.05.023

摘要

基于器件有源层内纵向电场变化模型，提出了背沟界面能带弯曲量与栅源电压的近似方程，并针对背沟电子传导机制建立器件反向亚阈电流模型；基于空穴的一维连续性方程，提出有源层内空穴逃逸率的物理模型，并针对前沟空穴传导机制建立器件泄漏电流模型。实验结果验证了所提关态电流物理模型的准确性，曲线拟合良好。